Μετοχή Intel Corporation (INTC): Η Παραγωγή Κινδύνου 18A-P Ενισχύει τον Οδικό Χάρτη Foundry

TLDR

• Η Intel ανεβαίνει 3,05% καθώς το 18A-P εισέρχεται σε παραγωγή κινδύνου στο VLSI.
• Η μετοχή INTC κερδίζει καθώς η Intel Foundry επιβεβαιώνει την πρόοδο του οδικού χάρτη 18A-P.
• Το Intel 18A-P προσφέρει βελτιώσεις σε ισχύ, απόδοση και ευελιξία σχεδιασμού.
• Η Intel περιγράφει εργασίες κλιμάκωσης τσιπ σε CFET, GaN και ρουθήνιο.
• Η ενημέρωση Intel Foundry στηρίζει τη μετοχή INTC μετά από ασταθές trading.

Οι μετοχές της Intel Corporation (INTC) ανήλθαν στα 120,61, με άνοδο 3,05%, μετά από μια ταραχώδη συνεδρίαση που ολοκληρώθηκε με ισχυρή ανάκαμψη. Η μετοχή υποχώρησε νωρίς, αλλά αργότερα ανέκτησε έδαφος και έκλεισε κοντά στα ενδοσυνεδριακά υψηλά. Η κίνηση ακολούθησε νέες ενημερώσεις της Intel Foundry στο VLSI Symposium 2026.

Intel Corporation, INTC

Το Intel 18A-P Εισέρχεται σε Παραγωγή Κινδύνου

Η Intel Foundry ανακοίνωσε ότι το Intel 18A-P έχει εισέλθει σε παραγωγή κινδύνου, σύμφωνα με το χρονοδιάγραμμα που είχε κοινοποιηθεί στους πελάτες πέρυσι. Η ενημέρωση σηματοδότησε την πρώτη βελτίωση απόδοσης εντός της οικογένειας διεργασιών Intel 18A. Ενίσχυσε επίσης το μήνυμα της Intel σχετικά με τη μακροπρόθεσμη εκτέλεση foundry.

Η εταιρεία παρουσίασε το Intel 18A-P ως συμβατή με τον σχεδιασμό αναβάθμιση του Intel 18A. Λόγω αυτής της συμβατότητας, οι πελάτες μπορούν να επαναχρησιμοποιήσουν υπάρχουσα πνευματική ιδιοκτησία και ροές σχεδιασμού. Αυτή η προσέγγιση μπορεί να μειώσει την τριβή καθώς οι σχεδιαστές τσιπ στρέφονται προς την βελτιωμένη διεργασία.

Η Intel ανέφερε ότι το 18A-P παρέχει 9% υψηλότερη απόδοση στην ίδια ισχύ. Προσφέρει επίσης 18% χαμηλότερη κατανάλωση ισχύος στο ίδιο επίπεδο απόδοσης. Παράλληλα, η διεργασία προσθέτει βελτιωμένα θερμικά χαρακτηριστικά και ευρύτερες επιλογές σχεδιασμού.

Οι Ενημερώσεις Διεργασιών Υποστηρίζουν Βελτιώσεις Απόδοσης και Ισχύος

Η Intel παρουσίασε το Power Boost, μια επιλογή τρανζίστορ διπλής επαφής για το Intel 18A-P. Το χαρακτηριστικό μειώνει την αντίσταση, αυξάνει το ρεύμα οδήγησης και υποστηρίζει υψηλότερη συχνότητα σε ταιριαστή χωρητικότητα. Ως αποτέλεσμα, οι σχεδιαστές αποκτούν μια ακόμη οδό για βελτίωση της απόδοσης τσιπ.

Η εταιρεία ανέφερε επίσης 20% έως 40% καλύτερη θερμική αντίσταση. Η Intel επικαλέστηκε 10% έως 30% καλύτερη αντίσταση διόδων μέσω αλλαγών υλικού και γεωμετρίας. Αυτές οι ενημερώσεις στοχεύουν στη ροή θερμότητας, την παροχή ισχύος και την κίνηση σήματος μεταξύ των στρωμάτων τσιπ.

Η Intel πρόσθεσε επίσης νέες επιλογές τρανζίστορ χαμηλής ισχύος και υψηλής απόδοσης. Συμπεριέλαβε ένα πέμπτο ζεύγος κατωφλίου λογικής τάσης μεταξύ ULVT και LVT. Επομένως, οι σχεδιαστές αποκτούν μεγαλύτερη ευελιξία στην εξισορρόπηση ταχύτητας, ισχύος και απόδοσης.

Οι Παρουσιάσεις VLSI Προσθέτουν Μακροπρόθεσμο Πλαίσιο

Η Intel χρησιμοποίησε το συνέδριο VLSI για να συνδέσει το 18A-P με προγενέστερες εργασίες στο Intel 18A. Η εταιρεία έφερε στην αγορά τρανζίστορ gate-all-around και παροχή ισχύος από την πίσω πλευρά πέρυσι. Αυτές οι τεχνολογίες υποστηρίζουν πλέον τις επόμενες βελτιώσεις διεργασιών και τα μελλοντικά σχέδια κλιμάκωσης.

Η Intel παρουσίασε έρευνα που δείχνει 11% μείωση δρομολογημένης επιφάνειας και 10 φορές χαμηλότερη δυναμική πτώση τάσης. Η εταιρεία ανέφερε ότι αυτά τα κέρδη μπορούν να υποστηρίξουν έως 6% υψηλότερη συχνότητα. Μπορούν επίσης να επιτρέψουν περισσότερο από 15% χαμηλότερη δυναμική ισχύ σε σύγκριση με συγκρίσιμη τεχνολογία frontside.

Η Intel παρουσίασε επίσης μακροπρόθεσμη έρευνα σε CFET, ενσωμάτωση GaN και διασύνδεση ρουθηνίου. Το έργο CFET στοίβαξε συσκευές NMOS και PMOS σε βήμα πύλης 45nm. Εν τω μεταξύ, οι μελέτες GaN και ρουθηνίου στόχευαν στη διαχείριση ισχύος, την κλιμάκωση διασύνδεσης και τη μελλοντική απόδοση τσιπ.

The post Intel Corporation (INTC) Stock: 18A-P Risk Production Boosts Foundry Roadmap appeared first on CoinCentral.